SCR DIAC TRIAC GTO

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Dispensa completa di elettronica sui tiristori Scr Diac Triac Gto con descrizioni, funzionamento e caratteristiche (9 pagine formato doc)

I tiristori I tiristori I tiristori costituiscono una famiglia di dispositivi a semiconduttore comprendente numerosi componenti, caratterizzati da una struttura a quattro zone pnpn e da un funzionamento in commutazione.
A loro è tuttora riservato il campo del controllo delle altissime correnti e delle altissime tensioni; sono tuttavia utilizzati anche in applicazioni per potenze medie e basse. SCR o diodo controllato In figura a lato sono riportati rispettivamente il simbolo e la struttura interna dell'SCR: sono presenti tre terminali: anodo, catodo e gate di controllo. Si notano quattro zone pnpn; una zona di anodo, di tipo p, è adiacente ad una zona spessa e poco drogata di tipo n, chiamata zona di blocco.
Segue una zona nuovamente di tipo p, piuttosto sottile, detta zona di comando, ed infine una quarta zona, detta di catodo, molto drogata e sottile. Funzionamento Per comprendere il funzionamento del dispositivo risulta comodo far riferimento agli schemi di figura, in quest'ultimo le tre giunzioni J1, J2 e J3 sono rappresentate mediante diodi. Come si può comprendere facilmente il triristore è normalmente non conduttivo per qualsiasi tensione fornita tra i terminali A e K dato che esiste sempre un diodo polarizzato inversamente (cioè una giunzione polarizzata inversamente). Per comprendere come possa condurre in talune situazioni conviene pensare l'SCR sezionato in modo da dare origine a due BJT, uno di tipo pnp e l'altro npn, connessi fra di loro come indicato in figura. La caratteristica che lega la corrente di ingresso IB e di uscita IC di un transistore a connessione ad emettitore comune si ricava facilmente dalla caratteristica di collettore ed è riportatta a lato. In essa sono evidenziate le tre zone di finzionamento. Per la particolare connessione dei due BJT nel SCR si nota che IC1 = IB2 e IB1 = IC2. La caratteristica complessiva si può pertanto ottenere dalla precedente aggiungendo una seconda caratteristica facente riferimento agli stessi assi ma scambiati. All'accensione del dispositivo le correnti IC e IB partono dal valore nullo e si stabilizzano pertanto nel punto di equilibrio stabile P1. Conduzione per aumento di IG: se la corrente di base IB1 aumenta grazie ad un contributo esterno IG il punto di lavoro si sposta verso il punto P2 di equilibrio instabile oltre il quale la corrente sale rapidamente verso il punto P3 che corrisponde alla saturazione dei due transistori. In tale caso la tensione VAK è la somma della tensione base-emettitore di T1 e di collettore-emettitore di saturazione di T2, pari quindi a VAK = 0.7+0.3 ? 1V. Conduzione per aumento di VAK: Questo non è l'unico modo per innescare la conduzione dei due BJT. Infatti se la tensione VAK aumenta (sia per il momento IG = 0) è noto che aumenta la corrente ICEO di fuga tra collettore ed emettitore di ciascun transistor. Pertanto le due caratteristiche si allontanano reciprocamente; l'SCR permane in interdizione anche se con lievi aumenti della corrente IAK. Il processo