Appunti sul drogaggio del silicio

Appunto inviato da rockfailler
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la tecnica di drogaggio del silicio: diffusione termica, impiantazione ionica (3 pagine formato doc)

Appunti sul drogaggio del silicio - Esistono varie tecniche di drogaggio del silicio.

In questa breve dispensa analizzeremo la tecnica della diffusione termica e dellÂ’impiantazione ionica. Diffusione termica Il drogaggio per diffusione termica sfrutta il fenomeno che si verifica nel silicio ad elevate temperature (1000 - 1200 °C). Alcuni atomi del semiconduttore, per agitazione termica, abbandonano la loro posizione nel reticolo cristallino generando le cosiddette “vacanze” (vuoti).

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In tal modo, gli atomi delle sostanze droganti possono occupare le posizioni libere sostituendosi agli originari atomi del semiconduttore. Possiamo affermare, quindi, che nel processo di drogaggio per diffusione vi è la migrazione allÂ’interno del semiconduttore di atomi droganti che ovviamente per differenza di concentrazione si spostano da zone dove sono presenti in concentrazione elevata a zone dove sono presenti in bassa concentrazione.
Vi sono due tipologie di diffusione termica: Diffusione a sorgente illimitata; Diffusione a sorgente limitata.

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